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KC3111功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)（生產(chǎn)端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級(jí)模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。脈沖信號(hào)源輸出方面，高壓源標(biāo)配2000V（選配3.5KV）

KC3120功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可針對(duì)各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，如開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、開(kāi)通損耗。

博達(dá)微FS-Pro半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是一款功能全面、配置靈活的半導(dǎo)體器件電學(xué)特性分析設(shè)備，在一個(gè)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了電流電壓 (IV) 測(cè)試、電容電壓 (CV) 測(cè)試、脈沖式 IV 測(cè)試、任意線性波形發(fā)生與測(cè)量、高速時(shí)域信號(hào)釆集以及低頻噪聲測(cè)試能力。